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CGH40010
10 W, RF Power GaN HEMT
Cree’s CGH40010 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high
electron mobility transistor (HEMT). The CGH40010, operating
from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution
to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer
high effciency, high gain and wide bandwidth capabilities making
the CGH40010 ideal for linear and compressed amplifer circuits.
The transistor is available in both screw-down, fange and solder-
down, pill packages.
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A
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FEATURES
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Up to 6 GHz Operation
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16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
?
14 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
?
13 W typical PSAT
?
65 % Effciency at PSAT
?
28 V Operation
APPLICATIONS
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2-Way Private Radio
?
Broadband Amplifers
?
Cellular Infrastructure
?
Test Instrumentation
?
Class A, AB, Linear amplifers suitable
for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
Package Types: 440166, & 440196
PN’s: CGH40010F & CGH40010P
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